Si2320DS
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71084
s-63640—rev. 一个, 01-十一月 -98
www.vishay.com
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2-1
n通道 200-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
200 7 @ v
gs
= 10 v
0.28
g
s
d
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2
3
至-236
(sot-23)
1
si2320ds (d0)*
*marking 代码
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
200
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
0.28
0.22
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
0.22
0.17
一个
脉冲 排水管 电流
b
我
dm
0.5
一个
雪崩 电流
b
l =0.1 mh
我
作为
0.5
单独 雪崩 能源
l= 0.1 mh
e?
作为
0.013 mJ
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
1 一个
电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
1.25 0.75
wpower 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.80 0.48
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
一个
t
5 秒
右
thja
75 100
c/w
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
120 166
c/w
最大值 接合点-至-脚 稳定 州 右
thJF
40 50
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
b. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度
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