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资料编号:607693
 
资料名称:Si2304BDS-T1-E3
 
文件大小: 73.63K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
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Si2304BDS
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72503
s-32412—rev. b, 24-十一月-03
www.vishay.com
1
n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
30
0.070 @ v
gs
= 10 v 3.2
30
0.105 @ v
gs
= 4.5 v 2.6
g
s
d
顶部 查看
2
3
至-236
(sot-23)
1
si2304bds (l4)*
*marking 代码
订购 信息: si2304bds-t1—e3
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
30
v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个,
b
t
一个
= 25
c
d
3.2 2.6
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个,
b
t
一个
= 70
c
d
2.5 2.1
一个
脉冲 排水管 电流
dm
10
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
s
0.9 0.62
最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 25
c
p
d
1.08 0.75
w最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 70
c
p
d
0.69 0.48
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
55 至 150
c
电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
5 秒
90 115
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
thja
130 166
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州
thJF
60 75
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
5 秒.
b. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
c. 表面 已安装 开启 fr4 板.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 这 worldwide web:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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