Si2315DS
vishay siliconix
文件 号码: 70850
s-31990—rev. c, 13-oct-03
www.vishay.com
1
p沟道 1.25-w, 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.055 @ v
gs
=-4.5 v
3.5
-12
0.075 @ v
gs
=-2.5 v
3
0.118 @ v
gs
=-1.8 v
2
g
s
d
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2
3
至-236
(sot-23)
1
si2315ds (c5)*
*marking 代码
订购 信息: si2315ds-t1
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
-12
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个,
b
t
一个
= 25
c
我
d
3.5
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个,
b
t
一个
= 70
c
我
d
2.8
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
12
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
我
s
-1.6
最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 25
c
p
d
1.25
w最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 70
c
p
d
0.8
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 接合点 至 环境
一个
t
5 秒
右
100
c/w最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
130
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. t
5 秒.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 这 worldwide web:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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