特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管: 1.8-v 额定
超 低 导通电阻
应用程序
荷载 开关
pa 开关
Si3447BDV
vishay siliconix
文件号码: 72020
s-40424—rev.b, 15-3月-04
www.vishay.com
1
p沟道 12-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.040 @ v
gs
=
−
4.5 v
−
6.0
−
12
0.053 @ v
gs
=
−
2.5 v
−
5.2
0.072 @ v
gs
=
−
1.8 v
−
4.5
(4) s
(3) g
(1, 2, 5, 6) d
p沟道 场效应晶体管
tsop-6
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6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
订购 信息: si3447bdv-t1
si3447bdv-t1—e3 (铅 免费)
标记 代码: B7xxx
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
−
12
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
−
6.0
−
4.5
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
−
4.3
−
3.3
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
−
20
一个
连续 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
−
1.7
−
0.9
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.0 1.1
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
1.0 0.6
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
5 秒
右
50 62.5
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
90 110
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
30 36
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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