特点
TrenchFET
电源 mosfets
Si6544BDQ
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72244
s-31251—rev. 一个, 16-六月-03
www.vishay.com
1
n- 和 p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
n通道 30
0.032 @ v
gs
= 10 v 4.3
n通道 30
0.046 @ v
gs
= 4.5 v 3.7
p 频道 30
0.043 @ v
gs
=-10 v -3.8
p沟道 -30
0.073 @ v
gs
=- 4.5 v -2.8
d
1
s
1
s
1
g
1
1
2
3
4
8
7
6
5
d
2
s
2
s
2
g
2
tssop-8
顶部 查看
d
1
g
1
s
1
n通道 场效应晶体管
s
2
g
2
d
2
p沟道 场效应晶体管
订购 信息: si6544bdq-t1
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
n通道 p沟道
参数 符号
10 秒 稳定 州 10 秒 稳定 州
单位
漏源 电压 v
ds
30 -30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
4.3 3.7 -3.8 -3.8
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
3.5 3.0 -3.0 -2.6
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
20 -20
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
1..0 0.7 -1..0 -0.7
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
1.14 0.83 1.14 0.83
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.73 0.53 0.73 0.53
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
- 55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
88 110
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
120 150
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 右
thJF
65 80
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
10 秒.
: 点此下载
