特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
pwm 优化 为 高 效率
新 低 热的 阻抗 powerpak
包装 和 低 1.07-mm profile
100% r
g
测试
产品
buck 转换器
- 高 一侧 或者 低 一侧
同步的 整流器
- secondary 整流器
Si7860DP
vishay siliconix
文档号码: 71854
s-32040—rev.c, 13-oct-03
www.vishay.com
1
n-频道 减少 q
g
, 快 切换 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
30
0.008 @ v
GS
= 10 v 18
30
0.011 @ v
GS
= 4.5 v 15
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
6.15 mm
5.15 mm
powerpak 所以-8
bottom 视图
n-频道 场效应晶体管
G
D
S
订货 信息: si7860dp-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 voltage V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
18 11
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
15 8
搏动 流 电流 I
DM
50
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
4.1 1.5
avalanche 电流
l= 0 1 mh
I
作
30
单独的 脉冲波 avalanche 活力
l= 0.1 mh
E
作
45 mJ
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
5 1.8
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
3.2 1.1
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大接合面 至 包围的 (场效应晶体管)
一个
t
10 秒
R
20 25
最大 接合面-至-包围的 (场效应晶体管)
一个
稳步的 状态
R
thJA
56 70
c/w
最大 接合面-至-情况 (流) 稳步的 状态 R
thJC
1.8 2.3
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.