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资料编号:608183
 
资料名称:SI7850DP
 
文件大小: 45.88K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

TrenchFET
电源 场效应晶体管
新建 低 热 电阻 powerpak
包装 与 低 1.07-mm 配置文件
pwm 优化 用于 快 开关

主要 侧面 开关 用于 24-v 直流/直流 应用程序
次要 同步 整流器
Si7850DP
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71625
s-03828—rev. 一个, 28-将-01
www.vishay.com
1
n通道 60-v (d-s) 快 开关 场效应晶体管

v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
0.022 @ v
gs
= 10 v 10.3
60
0.031 @ v
gs
= 4.5 v 8.7
1
2
3
4
5
6
7
8
s
s
s
g
d
d
d
d
6.15 mm
5.15 mm
PowerPAK
所以-8
n通道 场效应晶体管
g
d
s



参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
60
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
一个
= 25
c
10.3 6.2
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
d
7.5 4.5
连续 来源 电流
s
3.7 1.5
一个
脉冲 排水管 电流
dm
40
雪崩 电流
b
作为
15
单独 雪崩 能源
b
e?
作为
11 mJ
t
一个
= 25
c
4.5 1.8
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
2.3 0.9
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c

参数 符号 典型 最大值 单位
t
10 秒 22 28
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
thja
58 70
c/w
最大值 连接至壳体 (排水管) 稳定 州
thjc
2.6 3.3
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
b. 保证 由 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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