特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
新建 低 热 电阻 powerpak
包装 与 低 1.07-mm 配置文件
应用程序
汽车
−
12-v boardnet
−
高侧 开关
−
电机 驱动器
Si7463DP
vishay siliconix
文件号码: 72440
s-32411—rev. b, 24-十一月-03
www.vishay.com
1
p沟道 40-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
−
40
0.0092 @ v
gs
=
−
10 v
−
18.6
−
40
0.014 @ v
gs
=
−
4.5 v
−
15
1
2
3
4
5
6
7
8
s
s
s
g
d
d
d
d
6.15 mm 5.15 mm
powerpak 所以-8
底部 查看
s
g
d
p沟道 场效应晶体管
订购 信息: si7463dp-t1—e3
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
−
40
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
−
18.6
−
11
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
−
15
−
8.9
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
−
60
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
−
4.5
−
1.6
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
5.4 1.9
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
3.4 1.2
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
18 23
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
52 65
c/w
最大值 连接至壳体 (排水管) 稳定 州 右
thjc
1.0 1.3
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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