特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
新建 微型 脚
chipscale 包装
提供 超-低 占地面积 面积 配置文件
(0.62 mm) 和 导通电阻
应用程序
便携式 设备
−
pa 开关
−
蓄电池 开关
−
荷载 开关
Si8407DB
vishay siliconix
文件号码: 72254
s-50066—rev. b, 17-jan-05
www.vishay.com
1
p沟道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.027 @ v
gs
=
−
4.5 v
−
8.2
−
20
0.032 @ v
gs
=
−
2.5 v
−
7.5
0.045 @ v
gs
=
−
1.8 v
−
6.6
微型 脚
设备 标记: 8407
xxx = 日期/批号可追溯性 代码
颠簸 侧面 查看 背面 查看
dd
gs
ss
12
63
54
订购 信息: si8407db-t2
si8407db-t2—e1 (铅 (铅)-免费)
s
g
d
p沟道 场效应晶体管
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
−
20
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
−
8.2
−
5.8
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
−
6.5
−
4.6
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
−
15
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
−
2.6
−
1.34
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.9 1.47
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.86 0.94
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
包装 回流 条件
b
VPR 215
c包装 回流 条件
b
红外线/对流 220
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
5 秒
右
33 43
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
72 85
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
15 19
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
b. 参考 至 ipc/电子元件工业联合会 (j-标准-020a), 否 手册 或 手 焊接.
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