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mos 字段 效果 晶体管
这 2sj358 是 一个 p沟道 垂直 mos 场效应晶体管 那 可以
是 已使用 作为 一个 开关 元素. 这 2sj358 可以 是
直接 驱动 由 一个 集成电路 操作 在 5 v.
这 2sj358 特点 一个 低 导通电阻 和 优秀
开关 特性, 和 是 适合 用于 应用程序
这样的 作为 actuator 驾驶员 和 直流/直流 变频器.
特点
• 新建-类型 紧凑型 包装
有 优点 的 软件包 用于 小 信号 和 用于
电源 晶体管, 和 补偿 那些 disadvan-
tages
• 可以 是 直接 驱动 由 一个 集成电路 操作 在 5 v.
• 低 导通电阻
右
ds(开启)
= 0.40
Ω
最大值 @v
gs
= –4 v, 我
d
= –1.5 一个
右
ds(开启)
= 0.30
Ω
最大值 @v
gs
= –10 v, 我
d
= –1.5 一个
质量 等级
标准
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= +25 ˚c)
参数 符号 条件 额定值 单位
漏源 电压 v
DSS
v
gs
= 0 –60 v
栅极-源极 电压 v
GSS
v
ds
= 0 –20/+10 v
排水管 电流 (直流) 我
d(直流)
–/+3.0 一个
排水管 电流 (脉冲) 我
d(脉冲)
pw
≤
10 ms –/+6.0 一个
职责 循环
≤
1 %
合计 电源 损失 p
t
已安装 开启 陶瓷 板 的 7.5 厘米
2
×
0.7 mm 2.0 w
频道 温度 t
ch
150 ˚C
存储 温度 t
stg
–55 至 +150 ˚C
这 二极管 已连接 之间 这 闸门 和 来源 的 这 晶体管 服务 作为 一个 保护器 反对 esd. 当
这个 设备 是 其实 已使用, 一个 附加 保护 电路 是 外部 必填项 如果 一个 电压 超过 这
额定 电压 将 是 已应用 至 这个 设备.
文件 否. tc-2491
(o.d. 否.tc-8011)
日期 已发布 october 1994 p
2SJ358
p沟道 mos 场效应晶体管 用于 高速 开关
这 信息 入点 这个 文件 是 主题 至 变更 无 通知.
©
1994
数据 工作表
包装 图纸 (单位: mm)
等效 电路
5.7 ±0.1
2.0 ±0.2
1.5 ±0.1
231
4.2
2.1
1.0
0.4 ±0.05
5.4 ±0.25
3.65 ±0.1
0.5 ±0.1
0.85 ±0.1
0.5 ±0.1
0.55
排水管 (d)
闸门 (g)
来源 (s)
内部
二极管
闸门 保护
二极管
标记: ua2
电极 连接
1. 来源
2. 排水管
3. 闸门
请 参考 至 "质量 等级 开启 nec 半导体 设备" (文件 号码 iei-1209) 已发布 由
nec 公司 至 知道 这 规格 的 质量 等级 开启 这 设备 和 其 推荐 应用程序.
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