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硅 接合点 fets (小 信号)
单位: mm
2SJ0364
(2sj364)
硅 p沟道 接合点 场效应晶体管
用于 模拟 开关
■
特点
●
低 导通电阻
●
低噪声 特性
1: 来源
2: 排水管 eiaj: sc-70
3: 闸门 smini3-g1 包装
■
绝对 最大值 额定值
(助教 = 25°c)
参数
闸门 至 排水管 电压
排水管 电流
闸门 电流
允许 电源 耗散
频道 温度
存储 温度
符号
v
GDS
我
d
我
g
p
d
t
ch
t
stg
额定值
65
−
20
−
10
150
150
−
55 至 +150
单位
v
ma
ma
mW
°C
°C
■
电气 特性
(助教 = 25°c)
参数
排水管 至 来源 截止 电流
闸门 至 来源 泄漏 电流
闸门 至 排水管 电压
闸门 至 来源 截止 电压
前进 转让 admittance
排水管 至 来源 导通电阻
输入 电容 (普通 来源)
反向 转让 电容 (普通 来源)
符号
我
DSS
*
我
GSS
v
GDS
v
GSC
| y
fs
|
右
ds(开启)
c
国际空间站
c
rss
条件
v
ds
=
−
10v, v
gs
= 0
v
gs
= 30v, v
ds
= 0
我
g
= 10
µ
一个, v
ds
= 0
v
ds
=
−
10v, 我
d
=
−
10
µ
一个
v
ds
=
−
10v, 我
d
=
−
1ma, f = 1khz
v
ds
=
−
10mv, v
gs
= 0
v
ds
=
−
10v, v
gs
= 0, f = 1mhz
最小
−
0.2
65
1.8
最大值
−
6
10
3.5
单位
ma
不适用
v
v
ms
Ω
pf
pf
*
我
DSS
等级 分类
标记 符号 (示例): 4m
典型值
1.5
2.5
300
12
4
Runk
我
DSS
(ma)
标记 符号
o
−
0.2 至
−
1
4MO
p
−
0.6 至
−
1.5
4MP
q
−
1 至
−
3
4MQ
右
−
2.5 至
−
6
4MR
2.1
±0.1
1.3
±0.1
0.3
+0.1
–
0.0
2.0
±0.2
1.25
±0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65)
(0.65)
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0 至 0.1
0.9
+0.2
–
0.1
0.15
+0.10
–
0.05
5
°
10
°
备注) 这 零件 号码 入点 这 括号 显示 常规 零件 号码.
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