SKM200GB124_集成电路资料查询网

© 由 semikron 0898 b 6
–
157
绝对 最大值 额定值
数值
符号 条件
1)
单位
v
消费电子展
v
CGR
我
c
我
厘米
v
ges
p
tot
t
j
, (t
stg
)
v
isol
湿度
climate
右
通用电气
= 20 k
Ω
t
案例
= 25/85 °c
t
案例
= 25/85 °c; t
p
= 1 ms
按 igbt, t
案例
= 25 °c
交流电, 1 最小值
din 40040
din iec 68 t.1
1200
1200
290 / 200
580 / 400
± 20
1350
–40 ... +150 (125)
2500
类 f
40/125/56
v
v
一个
一个
v
w
°C
v
逆 二极管
我
f
= –i
c
我
调频
= –i
厘米
我
FSM
我
2
t
t
案例
= 25/80 °c
t
案例
= 25/80 °c; t
p
= 1 ms
t
p
= 10 ms; 罪.; t
j
= 150 °c
t
p
= 10 ms; t
j
= 150 °c
195 / 130
580 / 400
1450
10 500
一个
一个
一个
一个
2
s
特性
符号 条件
1)
最小值 典型值 最大值 单位
v
(br)消费电子展
v
通用电气(th)
我
消费电子展
我
ges
v
CEsat
v
CEsat
g
fs
v
通用电气
= 0, 我
c
= 4 ma
v
通用电气
= v
ce
, 我
c
= 6 ma
v
通用电气
= 0 t
j
= 25 °c
v
ce
= v
消费电子展
t
j
= 125 °c
v
通用电气
= 20 v, v
ce
= 0
我
c
= 150 一个 v
通用电气
= 15 v;
我
c
= 200 一个 t
j
= 25 (125) °c
v
ce
= 20 v, 我
c
= 150 一个
≥
v
消费电子展
4,5
–
–
–
–
–
62
–
5,5
0,4
12
–
2,1(2,4)
2,5(3,0)
–
–
6,5
14
–
0,32
2,45(2,85)
–
–
v
v
ma
ma
µ
一个
v
v
s
c
CHC
c
ies
c
oes
c
res
l
ce
按 igbt
v
通用电气
= 0
v
ce
= 25 v
f = 1 mhz
–
–
–
–
–
–
11
1,6
0,8
–
700
15
2
1
20
pf
nf
nf
nf
nH
t
d(开启)
t
右
t
d(关)
t
f
e?
开启
e?
关
v
抄送
= 600 v
v
通用电气
= –15 v / +15 v
3)
我
c
= 150 一个, 指示. 荷载
右
gon
= 右
高夫
= 7
Ω
t
j
= 125 °c
–
–
–
–
–
–
75
50
520
50
21
19
–
–
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
mWs
mWs
逆 二极管
8)
v
f
= v
ec
v
f
= v
ec
v
至
右
t
我
rrm
q
rr
我
f
= 150 一个 v
通用电气
= 0 v;
我
f
= 200 一个 t
j
= 25 (125) °c
t
j
= 125 °c
2)
t
j
= 125 °c
2)
我
f
= 150 一个; t
j
= 125 °c
2)
我
f
= 150 一个; t
j
= 125 °c
2)
–
–
–
–
–
–
2,0(1,8)
2,25(2,05)
1,1
–
78
19,5
2,5
–
1,2
7
–
–
v
v
v
m
Ω
一个
µ
c
热 特性
右
thjc
右
thjc
右
thch
按 igbt
按 二极管
按 模块
–
–
–
–
–
–
0,09
0,25
0,038
°c/w
°c/w
°c/w
SEMITRANS
®
m
低 损失 igbt 模块
skm 200 gb 124 d
特点
•
mos 输入 (电压 受控)
•
n 频道, 均质 硅
结构 npt-igbt (非 punch
通过)
•
低 饱和度 电压
•
低 电感 案例
•
低 机尾 电流 与 低
温度 依赖性
•
高 短 电路 能力,
自我 限制 至 6 * 我
cnom
•
闩锁 免费
•
快 &放大器; 软 逆 cal 二极管
8)
•
隔离 铜 底板 使用
dcb 直接 铜 搭接
技术 无 硬 模具
•
大型 净空 (12 mm) 和
爬电距离 距离 (20 mm)
典型 应用程序
→
b 6
–
161
•
开关 (不 用于 线性 使用)
•
逆变器 驱动器
•
ups
1)
t
案例
= 25 °c, 除非 否则
指定
2)
我
f
= – 我
c
, v
右
= 600 v,
–di
f
/dt = 1500 一个/
µ
s, v
通用电气
= 0 v
3)
使用 v
GEoff
= –5... –15 v
8)
cal = 受控 轴向 使用寿命
技术
案例 和 机械. 数据
→
b 6
–
162
GB
semitrans 3

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© 由 semikron 0898 b 6 – 157 绝对最大值额定值数值符号条件 1) 单位 v 消费电子展 v CGR 我 c 我厘米 v ges p tot t j , (t stg ) v isol 湿度 climate 右通用电气 = 20 k Ω t 案例 = 25/85 °c t 案例 = 25/85 °c; t p = 1 ms 按 igbt, t 案例 = 25 °c 交流电, 1 最小值 din 40040 din iec 68 t.1 1200 1200 290 / 200 580 / 400 ± 20 1350 –40 ... +150 (125) 2500 类 f 40/125/56 v v 一个一个 v w °C v 逆二极管我 f = –i c 我调频 = –i 厘米我 FSM 我 2 t t 案例 = 25/80 °c t 案例 = 25/80 °c; t p = 1 ms t p = 10 ms; 罪.; t j = 150 °c t p = 10 ms; t j = 150 °c 195 / 130 580 / 400 1450 10 500 一个一个一个一个 2 s 特性符号条件 1) 最小值典型值最大值单位 v (br)消费电子展 v 通用电气(th) 我消费电子展我 ges v CEsat v CEsat g fs v 通用电气 = 0, 我 c = 4 ma v 通用电气 = v ce , 我 c = 6 ma v 通用电气 = 0 t j = 25 °c v ce = v 消费电子展 t j = 125 °c v 通用电气 = 20 v, v ce = 0 我 c = 150 一个 v 通用电气 = 15 v; 我 c = 200 一个 t j = 25 (125) °c v ce = 20 v, 我 c = 150 一个 ≥ v 消费电子展 4,5 – – – – – 62 – 5,5 0,4 12 – 2,1(2,4) 2,5(3,0) – – 6,5 14 – 0,32 2,45(2,85) – – v v ma ma µ 一个 v v s c CHC c ies c oes c res l ce 按 igbt v 通用电气 = 0 v ce = 25 v f = 1 mhz – – – – – – 11 1,6 0,8 – 700 15 2 1 20 pf nf nf nf nH t d(开启) t 右 t d(关) t f e? 开启 e? 关 v 抄送 = 600 v v 通用电气 = –15 v / +15 v 3) 我 c = 150 一个, 指示. 荷载右 gon = 右高夫 = 7 Ω t j = 125 °c – – – – – – 75 50 520 50 21 19 – – – – – – ns ns ns ns mWs mWs 逆二极管 8) v f = v ec v f = v ec v 至右 t 我 rrm q rr 我 f = 150 一个 v 通用电气 = 0 v; 我 f = 200 一个 t j = 25 (125) °c t j = 125 °c 2) t j = 125 °c 2) 我 f = 150 一个; t j = 125 °c 2) 我 f = 150 一个; t j = 125 °c 2) – – – – – – 2,0(1,8) 2,25(2,05) 1,1 – 78 19,5 2,5 – 1,2 7 – – v v v m Ω 一个 µ c 热特性右 thjc 右 thjc 右 thch 按 igbt 按二极管按模块 – – – – – – 0,09 0,25 0,038 °c/w °c/w °c/w SEMITRANS ® m 低损失 igbt 模块 skm 200 gb 124 d 特点 • mos 输入 (电压受控) • n 频道, 均质硅结构 npt-igbt (非 punch 通过) • 低饱和度电压 • 低电感案例 • 低机尾电流与低温度依赖性 • 高短电路能力, 自我限制至 6 * 我 cnom • 闩锁免费 • 快 &放大器; 软逆 cal 二极管 8) • 隔离铜底板使用 dcb 直接铜搭接技术无硬模具 • 大型净空 (12 mm) 和爬电距离距离 (20 mm) 典型应用程序 → b 6 – 161 • 开关 (不用于线性使用) • 逆变器驱动器 • ups 1) t 案例 = 25 °c, 除非否则指定 2) 我 f = – 我 c , v 右 = 600 v, –di f /dt = 1500 一个/ µ s, v 通用电气 = 0 v 3) 使用 v GEoff = –5... –15 v 8) cal = 受控轴向使用寿命技术案例和机械. 数据 → b 6 – 162 GB semitrans 3

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