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资料编号:613687
 
资料名称:SM8LZ47
 
文件大小: 214.32K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SM8LZ47
2001-07-13
1
toshiba bi
定向 triode thyristor 硅 平面 类型
SM8LZ47
交流电 电源 控制 应用程序

重复性 峰值 关
州 电压 : v
DRM
= 800v

右.m.s 开启
州 电流 : 我
t(rms)
= 8a

1
0v / µs (最小.)

隔离 电压 : v
isol
=
1
500v 交流电
最大值 额定值
特性 符号 评级 单位
重复性 peakoff
州 电压 v
DRM
800 v
右.m.s 开启
州 电流
(已满 正弦 波形)
t (rms)
8 一个
70 (50hz)
峰值 一个 循环 浪涌 开启状态
电流 (非
重复性)
TSM
80 (60hz)
一个
2
t 限制 值
2
t 24.5 一个
2
s
关键 费率 的 上升 的 开启
电流 (备注 1)
di / dt 50 一个 / µs
峰值 闸门 电源 耗散 p
通用汽车
5 w
平均值 闸门 电源 耗散 p
g (av)
0.5 w
峰值 闸门 电压 v
FGM
10 v
峰值 闸门 电流
通用汽车
2 一个
接合点 温度 t
j
40~125 °c
存储 温度 范围 t
stg
40~125 °c
隔离 电压 (交流电, t = 1min.) v
isol
1500 v
备注: di / dt 测试一下 条件
v
DRM
= 400v, 我
tm
12a, t
gw
10µs, t
gr
250ns,
gp
= 我
GT
×2.0
电子元件工业联合会
JEITA
toshiba 13
10H1A
重量: 1.7g
单位: mm
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