STG719
低 电压 4
Ω
SPDT 开关
六月 2000
■
高 速度:
t
pd
= 0.3 ns (典型值.) 在 v
抄送
=5V
t
pd
= 0.4 ns (典型值.) 在 v
抄送
= 3.0v
■
低 电源 耗散:
我
抄送
=1
µ
一个 (最大值.) 在 t
一个
=85
o
c
■
低 ”ON” 电阻:
右
开启
=4
Ω
(最大值. t
一个
=25
o
c) 在 v
抄送
=5V
右
开启
=6
Ω
(典型值.)在 v
抄送
= 3.0v
■
宽 操作 电压 范围:
v
抄送
(opr) = 1.8v 至 5.5v 单独 供应
描述
这 STG719 是 一个 高 速度 SPDT CMOS
开关 frabricated 入点 硅 闸门 c
2
mos
技术. 它 是 设计 至 操作 从 1.8v 至
5.5v, 制作 这个 设备 理想 用于 便携式
应用程序. 它 优惠 4
Ω
导通电阻 最大值 在
5V 25
o
c. 附加 钥匙 特点 是 快
开关 速度 (t
开启
=7ns, t
关
=4.5ns) 和 低
电源 消费 (&指示灯;0.01
µ
w 典型值.). esd
免疫 是 较高 比 1000V 按 方法
3015.7 的 密耳-标准-883b. It’s avalable 入点 这
商业 温度 范围.
管脚 连接 和 IEC 逻辑 符号
sot23-6l
订单 代码
包装 导管 t &放大器; 右
sot23-6l STG719FTR
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