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资料编号:620348
 
资料名称:SPD18P06P
 
文件大小: 117.35K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999-11-22
第页 1
SPD18P06P
SPU18P06P
初步 数据
SIPMOS
电源-晶体管
特点
·
p沟道
·
增强功能 模式
·
雪崩 额定
·
d
v
/d
t
额定
·
175°c 操作 温度
产品 摘要
排水管 来源 电压
v
v
ds
-60
漏源 开启状态 电阻
ds(开启)
0.13
w
连续 排水管 电流 一个
d
-18.6
类型 包装 订购 代码
SPD18P06P p-to252 q67040-s4189
SPU18P06P p-to251 q67040-s4192
管脚 1 管脚 2/4 管脚 3
g d s
最大值 额定值
,在
t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 符号 UnitValue
-18.6
-13.2
连续 排水管 电流
t
c
= 25 °c
t
c
= 100 °c
一个
d
脉冲 排水管 电流
t
c
= 25 °c
d 脉冲
-74.4
雪崩 能源, 单独 脉冲
d
= -18.6 一个 ,
v
dd
= -25 v,
gs
= 25
w
150 mJ
e?
作为
雪崩 能源, 周期性 有限 由
t
jmax
e?
ar
8
d
v
/d
t
6
反向 二极管 d
v
/d
t
s
= -18.6 一个,
v
ds
= -48 v,
d
/d
t
= 200 一个/µs,
t
jmax
= 175 °c
kv/µs
闸门 来源 电压
v
gs
±20 v
电源 耗散
t
c
= 25 °c
p
tot
80 w
操作 和 存储 温度
t
j
,
t
stg
-55...+175 °C
iec climatic 类别; din iec 68-1 55/175/56
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