spi-236-17
非.6025 1/6
特性
•
gaas infrared led 加 单独的 phototransistor
•
photo-interrupter
•
联系 类型
•
紧凑的 类型 : h3.25
✕
l5.0
✕
w4.5mm
•
应用 : 为 这 一般 public welfare
绝对 最大 比率 在 ta=25
°
c, 65%rh
(作 每 jis c 7032 )
参数 标识 比率 单位
输入 led
向前 电流
*
1
I
F
50 毫安
反转 电压 V
R
5V
电源 消耗 P
D
70 mW
输出
集电级-发射级 电压 V
CEO
20 V
Phototransistor
发射级-集电级 电压 V
ECO
5V
集电级 curren I
C
20 毫安
电源 消耗 P
C
70 mW
运行 温度 Topr --20 至 +80
°
C
存储 温度 Tstg --30 至 +85
°
C
焊接 温度
*
2
Tsol 260
°
C
*
1
看 向前 电流 减额
*
2
焊接 情况 : 时间 : 最大值 3sec; clearance : 最小值 1mm 从 更小的 停留
electro-视力的 特性 在 ta=25
°
c, 65%rh
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
向前 电压 V
F
I
F
=10mA 1.0 1.15 1.4 V
反转 电流 I
R
V
R
= 5 V -- -- 1 0
µ
一个
输出 dark 电流 I
CEO
I
F
=0ma, v
CE
=10V -- 10 200 nA
结合
集电级 输出 电流 I
C
I
F
=10ma, v
CE
=5V
*
1
240 500 880
µ
一个
集电级 发射级
V
CE
(sat) I
F
=10ma, i
C
=50
µ
一个 -- -- 0.5 V
饱和 电压
上升 时间 tr
V
CC
=5v, r
L
=100
Ω
-- 5 --
µ
s
下降 时间 tf
I
C
=1mA
-- 5 --
µ
s
*
1
度量 电路 的 集电级 电流
*
2
表格 的 分类 的 集电级 输出
类 一个 B C
ic (
µ
一个) 880 至 460 635 至 330 460 至 240
sanyo electric co.,有限公司. 半导体 公司
tokyo 办公室 tokyo bldg., 1-10, 1 chome, ueno, taito-ku, tokyo, 110-8534 日本
spi-236-17
gaas infrared led
ultraminiature photointerrupter
(单独的-晶体管 类型)
72199 gi,
(
MI
)
IF=10mA
VCE=5V
一个
Ic
订货 号码 : en6025
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