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手机版
资料编号:623413
资料名称:
SSD2009A
文件大小: 183.03K
说明
:
介绍
:
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SSD2009A
50
3.0
2.3
10.0
±
20
2.0
1.3
-
55 至 +150
8 soic
s
1
g
1
s
2
g
2
d
1
d
1
d
2
d
2
4
3
1
2
5
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顶部 查看
n -频道 场效应晶体管
双 n通道 电源 场效应晶体管
!
下部 右
ds(开启)
!
改进 归纳 坚固耐用
!
快 开关 次
!
低 输入 电容
!
扩展 安全 操作 面积
!
改进 高 温度 可靠性
特点
绝对 最大值 额定值
漏源 电压
连续 排水管 电流 t
一个
=25
℃
连续 排水管 电流 t
一个
=70
℃
排水管 电流-脉冲
①
栅极到源极 电压
合计 电源 耗散 ( t
一个
=25
℃
)
( t
一个
=70
℃
)
操作 和 接合点 存储
温度 范围
特性
单位
符号
我
d
p
d
一个
v
一个
℃
v
DSS
v
w
零件 号码
BV
DSS
右
ds(开启)
我
d
SSD2009
50V
0.13
Ω
3.0a
产品 摘要
v
gs
我
dm
t
j
, t
stg
热 电阻
交叉点到环境
右
θ
ja
℃
/w
特性
最大值
单位
符号
典型值
--
62.5
值
rev. a1
d
1
,d
2
g
1
,g
2
s
1
,s
2
d
1
,d
2
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