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高级  电源  场效应晶体管
特点
至-220f
1.闸门  2. 排水管  3. 来源
3
2
1
雪崩  坚固耐用  技术
坚固耐用  闸门  氧化物  技术
下部  输入  电容
改进  闸门  费用
扩展  安全  操作  面积
下部  泄漏  电流  :  25
µ
一个 (最大值.)  @  v
ds
= 800v
低  右
ds(开启)
:  2.450
Ω
(典型值.)
绝对  最大值  额定值
漏源 电压
连续  排水管  电流  (t
c
=25
Ο
c
)
连续  排水管  电流  (t
c
=100
Ο
c
)
排水管  电流-脉冲
栅极到源极  电压
单独  脉冲  雪崩  能源
雪崩  电流
重复性  雪崩  能源
峰值  二极管  回收  设计验证/dt
合计  电源  耗散  (t
c
=25
Ο
c
)
线性  降额  因素
操作  接合点  和
存储  温度  范围
最大值  铅  温度  用于  焊接
目的,  1/8“从  案例  用于  5-秒
特性 值 单位符号
我
dm
v
gs
e?
作为
我
ar
e?
ar
设计验证/dt
我
d
p
d
t
j
, t
stg
t
l
一个
v
mJ
一个
mJ
v/ns
w
w/
Ο
c
一个
Ο
c
v
DSS
v
o
1
o
2
o
3
o
1
o
1
热  电阻
连接至壳体
交叉点到环境
右
θ
jc
右
θ
ja
Ο
c
/w
特性 最大值 单位符号 典型值
SSS4N80AS
BV
DSS
=  800 v
右
ds(开启)
=  3.0
Ω
我
d
=  2.8 一个
800
2.8
1.8
18
314
2.8
4
2.0
40
0.32
- 55  至  +150
300
3.13
62.5
--
--
30
+
_
©1999 仙童 半导体 公司
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高级电源场效应晶体管特点至-220f 1.闸门 2. 排水管 3. 来源 3 2 1 雪崩坚固耐用技术坚固耐用闸门氧化物技术下部输入电容改进闸门费用扩展安全操作面积下部泄漏电流 : 25 µ 一个 (最大值.) @ v ds = 800v 低右 ds(开启) : 2.450 Ω (典型值.) 绝对最大值额定值漏源电压连续排水管电流 (t c =25 Ο c ) 连续排水管电流 (t c =100 Ο c ) 排水管电流-脉冲栅极到源极电压单独脉冲雪崩能源雪崩电流重复性雪崩能源峰值二极管回收设计验证/dt 合计电源耗散 (t c =25 Ο c ) 线性降额因素操作接合点和存储温度范围最大值铅温度用于焊接目的, 1/8“从案例用于 5-秒特性值单位符号我 dm v gs e? 作为我 ar e? ar 设计验证/dt 我 d p d t j , t stg t l 一个 v mJ 一个 mJ v/ns w w/ Ο c 一个 Ο c v DSS v o 1 o 2 o 3 o 1 o 1 热电阻连接至壳体交叉点到环境右 θ jc 右 θ ja Ο c /w 特性最大值单位符号典型值 SSS4N80AS BV DSS = 800 v 右 ds(开启) = 3.0 Ω 我 d = 2.8 一个 800 2.8 1.8 18 314 2.8 4 2.0 40 0.32 - 55 至 +150 300 3.13 62.5 -- -- 30 + _ ©1999 仙童半导体公司 rev. b

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