1/10september 2002
STD5NM50
std5nm50-1
n-频道 500v - 0.7
Ω
- 7.5a dpak/ipak
mdmesh™power 场效应晶体管
(1) i
SD
≤
5a, di/dt
≤
400a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
j
≤
T
jmax.
n
典型 r
DS
(在) = 0.7
Ω
n
高 dv/dt 和 avalanche 能力
n
100% avalanche 测试
n
低 输入 电容 和 门
承担
n
低 门 输入 阻抗
n
tight 处理 控制 和 高
制造 产量
描述
这 mdmesh
™
是 一个 新 revolutionary 场效应晶体管
技术 那 associates 这 多样的 流 pro-
cess 和 这 公司’s powermesh™ horizontal
布局. 这 结果 产品 有 一个 优秀的 低
在-阻抗, impressively 高 dv/dt 和 极好的
avalanche 特性. 这 adoption 的 这
公司’s 专卖的 strip 技巧 产量 整体的
动态 效能 那 是 significantly 更好的 比
那 的 类似的 competition’s 产品.
产品
这 mdmesh™ 家族 是 非常 合适的 为 增加
电源 密度 的 高 电压 转换器 准许
系统 miniaturization 和 高等级的 efficiencies.
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STD5NM50
std5nm50-1
500V
500V
<0.8
Ω
<0.8
Ω
7.5 一个
7.5 一个
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
500 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
500 V
V
GS
门- 源 电压
±30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25°c
7.5 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100°c
4.7 一个
I
DM
(
l
)
流 电流 (搏动) 30 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
100 W
减额 因素 0.8 w/°c
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 15 v/ns
T
stg
存储 温度
– 55 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度
1
3
DPAK
至-252
3
2
1
IPAK
至-251
(增加 后缀 “-1”)
内部的 图式 图解
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