STD12NE06L
n - 频道 60V - 0.09
Ω
- 12A 至-251/至-252
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.09
Ω
■
例外 设计验证/dt 能力
■
雪崩 坚固耐用 技术
■
100 % 雪崩 已测试
■
应用程序 面向
表征
■
添加 后缀 ”T4” 用于 订购 入点 胶带
&放大器; 卷轴
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
意法半导体 独一无二 ”Single 功能
尺寸
” 压条-基于 流程. 这 结果 过渡-
stor 显示 极其 高 填料 密度 用于 低
导通电阻, 坚固耐用 雪崩 特性
和 较少 关键 对齐 步骤 因此 一个 re-
markable 制造业 reproducibility.
应用程序
■
直流 电机 控制 (磁盘 驱动器,等等.)
■
直流-直流 &放大器; 直流-交流电 转换器
■
同步 整改
内部 原理图 图表
January 2000
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STD12NE06L 60 v &指示灯; 0.12
Ω
12 一个
绝对 最大值 额定值
Symbol 参数 值 单位
v
ds
博士艾因-s我们的ce 电压age? (v
gs
=0) 60 v
v
DGR
排水管- 闸门 v旧 (右
gs
=20k
Ω
)60v
v
gs
栅极-源极 电压
±
20 v
我
d
排水管 电流 (c连续不断) 在 t
c
=25
o
C12A
我
d
排水管 电流 (c连续不断) 在 t
c
=100
o
C8A
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 48 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
=25
o
C35W
降额 fact或 0.23 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) 峰值 二极管 回收 电压 坡度 6 v/ns
t
stg
存储 temperature -65 至 175
o
c
t
j
最大值. operating junc操作 温度e? 175
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
12 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,t
j
≤
t
jmax
3
2
1
IPAK
至-251
(后缀 ”-1”)
1
3
DPAK
至-252
(后缀 ”t4”)
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