std1nb80-1
n - 频道 800v - 16
Ω
- 1a - ipak
PowerMESH
场效应晶体管
初步 数据
■
典型 右
ds(开启)
= 16
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
100% 雪崩 已测试
■
很 低 内在的 电容
■
闸门 费用 最小化
描述
使用 这 最新 高 电压 mesh 覆盖
流程, 意法半导体 有 设计 一个
高级 家庭 的 电源 mosfets 与
未结清 演出. 这 新建 专利
待定 压条 布局 耦合 与 这 公司’s
专有 边缘 终止 结构, 给出 这
最低 右
ds(开启)
按 面积, 例外 雪崩
和 设计验证/dt 能力 和 unrivalled 闸门 费用
和 开关 特性.
应用程序
■
开关 模式 电源 供应品 (smps)
■
交流电 适配器 和 蓄电池 充电器
用于 手持设备 设备
内部 原理图 图表
九月 1998
绝对 最大值 额定值
符号 参数 值 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0) 800 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)
800 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
30 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25
o
C1A
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100
o
c 0.63 一个
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 4 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25
o
C50W
降额 因素 0.4 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) 峰值 二极管 回收 电压 坡度 4.5 v/ns
t
stg
存储 温度 -65 至 150
o
c
t
j
最大值 操作 接合点 温度 150
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 ope评级 面积 (
1
) 我
sd
≤ 1Α,
di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
, tj
≤
t
jmax
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
std1nb80-1 800 v &指示灯; 20
Ω
1 一个
3
2
1
IPAK
至-251
(后缀 "-1")
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