STE180NE10
n通道 100V - 4.5 m
Ω
- 180A ISOTOP
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 4.5 m
Ω
■
100% 雪崩 已测试
■
低 内在的 电容
■
闸门 费用 最小化
■
减少 电压 传播
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
意法半导体 独一无二 ”Single 功能
尺寸
” 压条-基于 流程. 这 结果 过渡-
stor 显示 极其 高 填料 密度 用于 低
导通电阻, 坚固耐用 avalance 特性
和 较少 关键 对齐 步骤 因此 一个 re-
markable 制造业 reproducibility.
应用程序
■
SMPS &放大器; ups
■
电机 控制
■
WELDING 设备
■
输出 舞台 用于 pwm, 超声波
电路
内部 原理图 图表
十一月 1999
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STE180NE10 100 v &指示灯; 6 m
Ω
180 一个
ISOTOP
绝对 最大值 额定值
Symbol 参数 值 联合国它
v
ds
漏源 电压年龄 (v
gs
= 0) 100 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
Ω
) 100 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
20 v
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
=25
o
c 180 一个
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
=100
o
c 119 一个
我
dm
(
•
) 排水管 current (脉冲) 540 一个
p
tot
tot铝 耗散 在 t
c
=25
o
c 360 w
降额 事实或 2.88 w/
o
c
v
iso
我nsulation 承受 v旧 (交流电-rms) 2500 v
t
stg
存储 temperature -55 to 150
o
c
t
j
最大值 操作 接合点 温度ure 150
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
180
Α,
di/d
τ
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,t
j
≤
t
jmax
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