1/8january 2002
STE110NS20FD
n通道 200v - 0.022
Ω
- 110a isotop
mesh overlay™ 电源 场效应晶体管
(1)我
sd
≤
110a, di/dt
≤
200a/µs, v
dd
≤
v
(br)dss
, t
j
≤
t
jmax
n
典型 右
ds
(开启) = 0.022
Ω
n
极其 高 设计验证/dt 能力
n
100% 雪崩 已测试
n
闸门 费用 最小化
n
± 20v 闸门 至 来源 电压 评级
n
低 内在的 电容
n
快 车身-排水管 二极管:低 t
rr
, q
rr
描述
使用 这 最新 高 电压 mesh overlay™
流程, 意法半导体 有 设计 一个 广告-
先进的 家庭 的 电源 mosfets 与 未结清
演出. 这 新建 专利 压条 布局 cou-
pled 与 这 公司’s 专有 边缘 终端-
操作 结构, 给出 这 最低 rds(开启) 按 面积,
例外 雪崩 和 设计验证/dt 能力 和
unrivalled 闸门 费用 和 开关 字符-
抽搐.
应用程序
n
高 电流, 高 速度 开关
n
开关 模式 电源 供应 (smps)
n
直流-交流电 变频器 用于 welding
设备 和 不间断
电源 供应 和 电机 驱动器
绝对 最大值 额定值
(•)脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STE110NS20FD 200V &指示灯; 0.024
Ω
110 一个
符号 参数 值 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0)
200 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)
200 v
v
gs
闸门- 来源 电压
±20 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25°c
110 一个
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100°c
69 一个
我
dm
(
l
)
排水管 电流 (脉冲) 440 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25°c
500 w
降额 因素 4 w/°c
设计验证/dt (1) 峰值 二极管 回收 电压 坡度 25 v/ns
v
iso
绝缘 winthstand 电压 (交流电-rms) 2500 v
t
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
t
j
最大值 操作 接合点 温度 150 °C
ISOTOP
内部 原理图 图表
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