STE38NB50F
n - 频道 500V - 0.11
Ω
- 38A - ISOTOP
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.11
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
±
30V 闸门 至 来源 电压 评级
■
100% 雪崩 已测试
■
低 内在的 电容
■
闸门 费用 最小化
■
减少 电压 传播
描述
使用 这 最新 高 电压 MESH 覆盖
流程, 意法半导体 有 设计 一个 广告-
先进的 家庭 的 电源 MOSFETs 与 outstand-
ing 演出. 这 新建 专利 待定 压条
布局 耦合 与 这 Company’s 专有
边缘 终止 结构, 给出 这 最低
rds(开启) 按 面积, 例外 雪崩 和
设计验证/dt 能力 和 unrivalled 闸门 费用 和
开关 特性.
应用程序
■
高 电流, 高 速度 开关
■
开关 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流电 变频器 用于 WELDING
设备 和 不间断
电源 供应 和 电机 驱动器
内部 原理图 图表
12月 1999
绝对 最大值 额定值
Symbol 参数 值 联合国它
v
ds
漏源 电压年龄 (v
gs
= 0) 500 v
v
DGR
排水管- 闸门 v旧 (右
gs
=20k
Ω
) 500 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
30 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
=25
o
C38A
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
=100
o
C24A
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 152 一个
p
tot
t奥塔尔 耗散 在 t
c
=25
o
c 400 w
降额 事实或 3.2 w/
o
c
设计验证/dt
(1)
峰值 二极管 回收 v旧 坡度 4.5 v/ns
t
stg
存储 t温度 -65 to 150
o
c
t
j
最大值 操作 接合点 透射电镜佩雷特ure 150
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
38 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,t
j
≤
t
jmax
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STE38NB50F 500 v &指示灯; 0.14
Ω
38 一个
ISOTOP
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