STN2NE10
n - 频道 100v - 0.33
Ω
- 2a - sot-223
STripFET
电源 场效应晶体管
初步 数据
■
典型 右
ds(开启)
= 0.33
Ω
■
例外 设计验证/dt 能力
■
雪崩 坚固耐用 技术
■
100 % 雪崩 已测试
■
应用程序 面向
表征
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
意法半导体 独一无二 "单独 功能
尺寸
" stip-基于 流程. 这 结果 过渡-
stor 显示 极其 高 填料 密度 用于 低
开启-电阻, 坚固耐用 雪崩 特性
和 较少 关键 对齐 步骤 因此 一个 re-
markable 制造业 reproducibility.
应用程序
■
直流 电机 控制 (磁盘 驱动器,等等.)
■
直流-直流 &放大器; 直流-交流电 转换器
■
同步 整改
®
内部 原理图 图表
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STN2NE10 100 v &指示灯; 0.4
Ω
2 一个
january 1999
绝对 最大值 额定值
符号 参数 值 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0) 100 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)
100 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
20 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25
o
C2A
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100
o
c1.3a
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 8 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25
o
c2.5w
降额 因素 0.02 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) 峰值 二极管 回收 电压 坡度 6 v/ns
t
stg
存储 温度 -65 至 150
o
c
t
j
最大值 操作 接合点 温度 150
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
) 我
sd
≤
7 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
, t
j
≤
t
jmax
新建 rds (开启) 规格. 起动 从 july 98
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sot-223
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