STN4NE03L
n - 频道 30V - 0.037
Ω
- 4A - sot-223
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.037
Ω
■
例外 设计验证/dt 能力
■
雪崩 坚固耐用 技术
■
100% 雪崩 已测试
■
应用程序 面向
表征
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
意法半导体 独一无二 ” 单独 功能
尺寸
”
压条-基于 流程. 这 结果
晶体管 显示 极其 高 填料 密度
用于 低 导通电阻, 坚固耐用 雪崩
特性 和 较少 关键 对齐 步骤
因此 一个 显著 制造业
reproducibility.
应用程序
■
直流 电机 控制 (磁盘 驱动器, 等等.)
■
直流-直流 &放大器; 直流-交流电 转换器
■
同步 整改
■
电源 管理 入点
电池供电 和 便携式
设备
内部 原理图 图表
8月 1998
1
2
2
3
sot-223
绝对 最大值 额定值
符号 参数 值 unit
v
ds
漏源 电压 (v
gs
=0) 30 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
Ω
)
30 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
15 v
我
d
(*) 排水管 cur租金 (控制不诚实) 在 t
c
=25
o
C4A
我
d
(*) 排水管 cur租金 (控制不诚实) 在 t
c
=100
o
c2.5a
我
dm
(
•
) 排水管 cur租金 (脉冲) 16 一个
p
tot
tot铝 耗散 在 t
c
=25
o
c2.5w
降额 事实或 0.02 w/
o
c
设计验证/dt (
1
) 峰值 二极管 回收 电压 坡度 6 v/ns
t
stg
存储 温度 -65 至 150
o
c
t
j
最大值 operating 接合点 温度ure 150
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (*) 有限 由 包装 (1)我
sd
≤
10a, di/dt
≤
200a/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,tj
≤
t
jmax
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
stN4NE03l 30 v &指示灯; 0.05
Ω
4A
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