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资料编号:627046
 
资料名称:STN1NF10
 
文件大小: 268.97K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1/8october 2001
.
STN1NF10
n通道 100v - 0.7
- 1a sot-223
stripfet™ 二 电源 场效应晶体管
典型 右
ds
(开启) = 0.7
例外 设计验证/dt 能力
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
stmicroelectronis 独一无二 "单独 功能 size™"
压条-基于 流程. 这 结果 晶体管
显示 极其 高 填料 密度 用于 低 开启-
较少 关键 对齐 步骤 因此 一个 remark-
能 制造业 reproducibility.
应用程序
直流-直流 转换器
直流 电机 控制 (磁盘 驱动程序, 等等.)
类型
v
DSS
ds(开启)
d
STN1NF10 100 v &指示灯; 0.8
1 一个
1
2
2
3
sot-223
绝对 最大值 额定值
(
•)
脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积. (1) 我
sd
1a, di/dt
350a/µs, v
dd
v
(br)dss
, t
j
t
jmax
(2) 起动 t
j
= 25
o
c, 我
d
= 1a, v
dd
= 70v
符号 参数 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0)
100 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
= 20 k
)
100 v
v
gs
闸门- 来源 电压
± 20 v
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25°c
1A
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100°c
0.6 一个
dm
(
•)
排水管 电流 (脉冲) 4 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25°c
2.5 w
降额 因素 0.02 w/°c
设计验证/dt
(1)
峰值 二极管 回收 电压 坡度 20 v/ns
e?
作为
(2)
单独 脉冲 雪崩 能源 35 mJ
t
stg
存储 温度
-55 至 150 °C
t
j
最大值 操作 接合点 温度
内部 原理图 图表
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