1/8将 2001
STN1HNC60
n通道 600v - 7
Ω
- 0.4a - sot-223
powermesh™ii 场效应晶体管
■
典型 右
ds
(开启) = 7
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
100% 雪崩 已测试
■
新建 高 电压 benchmark
■
闸门 费用 最小化
描述
这 powermesh
™
二 是
这 evolution 的 这 第一
世代 的 mesh 覆盖
™.
这 布局 re-
finements 介绍 很大 改善 这 ron*area
图 的 优点 同时 保管 这 设备 在 这 铅-
ing 边缘 用于 什么 关注事项 swithing 速度, 闸门
费用 和 坚固耐用.
应用程序
■
交流电 适配器 和 蓄电池 充电器
■
swith 模式 电源 供应品 (smps)
■
直流-交流电 转换器 用于 welding
设备
绝对 最大值 额定值
(•)脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STN1HNC60 600 v &指示灯; 8
Ω
0.4 一个
符号 参数 值 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0)
600 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)
600 v
v
gs
闸门- 来源 电压
±30 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25°c
0.4 一个
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100°c
0.25 一个
我
dm
(1)
排水管 电流 (脉冲) 1.6 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25°c
2.5 w
降额 因素 0.02 w/°c
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 电压 坡度 3.5 v/ns
t
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
t
j
最大值 操作 接合点 温度 150 °C
(1)我
sd
≤
0.4a, di/dt
≤
100a/µs, v
dd
≤
v
(br)dss
, t
j
≤
t
jmax
1
2
2
3
sot-223
内部 原理图 图表
: 点此下载
