1/9将 2002
STP16NS25
STP16NS25FP
n通道 250v - 0.23
Ω
- 16a 至-220 / 至-220fp
mesh overlay™ 场效应晶体管
(1) 我
sd
≤
16a, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
, tj
≤
t
jmax
(*) 有限 仅 由 最大值 温度 允许
内部 原理图 图表
■
典型 右
ds
(开启) = 0.23
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
100% 雪崩 已测试
描述
使用 这 最新 高 电压 mesh 覆盖
™
流程, 意法半导体 有 设计 一个 广告-
先进的 家庭 的 电源 mosfets 与 未结清
业绩. 这 新建 专利 压条 布局 cou-
pled 与 这 公司’s 专有 边缘 终端-
操作 结构, 使 它 适合 入点 coverters 用于
照明 应用程序.
应用程序
■
高 电流, 高 速度 开关
■
swith 模式 电源 供应品 (smps)
■
直流-直流 转换器 用于 电信,
工业, 和 照明 设备
■
理想 用于 显示器’s b+ 功能
绝对 最大值 额定值
(•)脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STP16NS25
STP16NS25FP
250 v
250 v
&指示灯; 0.28
Ω
&指示灯; 0.28
Ω
16 一个
16 一个
符号 参数 值 单位
STP16NS25 STP16NS25FP
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0)
250 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)
250 v
v
gs
闸门- 来源 电压
± 20 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25°c
16 16(*) 一个
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100°c
11 11(*) 一个
我
dm
(
l
)
排水管 电流 (脉冲) 64 64(*) 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25°c
140 40 w
降额 因素 1 0.33 w/°c
设计验证/dt (1) 峰值 二极管 回收 电压 坡度 5 v/ns
v
iso
绝缘 承受 电压 (直流) - 2500 v
t
stg
存储 温度
–65 至 150 °C
t
j
最大值 操作 接合点 温度
至-220
1
2
3
1
2
3
至-220fp
: 点此下载
