STP12PF06
p - 频道 60V - 0.18
Ω
- 12A 至-220
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.18
Ω
■
例外 设计验证/dt 能力
■
100% 雪崩 已测试
■
低 闸门 费用
■
应用程序 面向
CHARACTERIZATIONL
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
意法半导体 独一无二 ”Single 功能
尺寸
” 压条-基于 流程. 这 结果 过渡-
stor 显示 极其 高 填料 密度 f或 低
导通电阻, 坚固耐用 雪崩 特性
和 较少 关键 铝ignment 步骤 因此 一个 re-
markable 制造业 reproducibility.
应用程序
■
电机 控制
■
直流-直流 &放大器; 直流-交流电 转换器
内部 原理图 图表
将 2000
绝对 最大值 额定值
Symbol 参数 值 单位
v
ds
博士艾因-s我们的ce 电压age? (v
gs
=0) 60 v
v
DGR
排水管- gate? v旧 (右
gs
=20k
Ω
)60v
v
gs
栅极-源极 电压
±
20 v
我
d
排水管 cur租金 (c连续不断) 在 t
c
=25
o
C12A
我
d
排水管 cur租金 (c连续不断) 在 t
c
=100
o
c8.4a
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 48 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
=25
o
C60W
降额 fact或 0.4 w/
o
c
设计验证/dt 峰值 二极管 recovery 电压 坡度 6 v/ns
t
stg
存储 temperature -65 至 175
o
c
t
j
最大值. operating j功能 温度 175
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
12 一个, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,t
j
≤
t
jmax
备注: 用于 这 p沟道 场效应晶体管 实际 极性 的 电压 和 电流 有 至 是 反转
类型 v
DSS
右
ds(o n)
我
d
STP12PF06 60 v &指示灯; 0.20
Ω
12 一个
1
2
3
至-220
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