STS3DPFS30
p - 频道 30v - 0.065
Ω
- 3a - s0-8
STripFET
场效应晶体管 加号 肖特基 整流器
初步 数据
描述:
这个 产品 联营公司 这 最新 低 电压
StripFET
入点 p沟道 版本 至 一个 低 掉落
肖特基 二极管. 这样的 配置 是 极其
多才多艺 入点 实施, 一个 大型 品种 的 直流-直流
转换器 用于 打印机, 便携式 设备, 和
细胞 电话.
®
内部 原理图 图表
二月 1999
场效应晶体管 绝对 最大值 额定值
符号 参数 值 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0) 30 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)30v
v
gs
栅极-源极 电压
±
20 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25
o
C3A
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100
o
c 1.9 一个
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 12 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25
o
C2W
主 产品 特性
场效应晶体管
v
DSS
右
ds(开启)
我
d
30V 0.09
Ω
3A
肖特基
我
f(av)
v
rrm
v
f(最大值)
3A 30V 0.51v
所以-8
肖特基 绝对 最大值 额定值
符号 参数 值 单位
v
rrm
重复性 峰值 反向 电压 30 v
我
f(rms)
rms 前进 电流 20 一个
我
f(av)
平均值 前进 电流 t
l
=125
o
c
δ
=0.5
3A
我
FSM
浪涌 非 重复性 前进 电流 tp= 10 ms
正弦曲线
75 一个
我
rrm
重复性 峰值 反向 电流 tp=2
µ
s
f=1 khz
1A
我
RSM
非 重复性 峰值 反向 电流 tp=100
µ
s1 一个
设计验证/dt 关键 费率 的 上升 的 反向 电压 10000 v/
µ
s
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积
备注: 用于 这 p沟道 场效应晶体管 实际 极性 的 电压 和 电流 有 至 是 反转
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