n通道 30v - 0.018
Ω
- 7a 所以-8
p沟道 30v - 0.070
Ω
- 4a 所以-8
stripfet™ 电源 场效应晶体管
1/10六月 2001
.
STS7C4F30L
■
典型 右
ds
(开启) (n-频道) = 0.018
Ω
■
典型 右
ds
(开启) (p-频道) = 0.070
Ω
■
标准 大纲 用于 容易
自动化 表面 安装 总成
■
低 阈值 驱动器
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
stmicroelectronis 独一无二 "单独 功能 size™"
压条-基于 流程. 这 结果 晶体管
显示 极其 高 填料 密度 用于 低 开启-
电阻, 坚固耐用 雪崩 特性 和
较少 关键 对齐 步骤 因此 一个 remark-
能 制造业 reproducibility.
应用程序
■
直流/直流 转换器
■
蓄电池 管理 入点 nomadic
设备
■
电源 管理 入点 细胞
电话
类型
v
DSS
右
ds(开启)
我
d
sts7c4f30l(n-频道)
sts7c4f30l(p-频道)
30 v
30 v
&指示灯;0.022
Ω
&指示灯;0.080
Ω
7 一个
4 一个
所以-8
绝对 最大值 额定值
(
•)
脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积. 备注: p沟道 场效应晶体管 实际 极性 的 电压 和 电流
有 至 是 反转
符号 参数 n通道 p沟道 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0)
30 30 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)
30 30 v
v
gs
闸门- 来源 电压
± 20 ± 20 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25°c
单独 操作
74A
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100°c
单独 操作
4.4 2.5 一个
我
dm
(
•)
排水管 电流 (脉冲) 28 16 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25°c 双 操作
合计 耗散 在 t
c
= 25°c 单独 操作
1.6
2
w
w
t
stg
存储 温度 -60 至 150 °C
t
j
最大值 操作 接合点 温度 150 °C
内部 原理图 图表
: 点此下载
