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资料编号:627586
 
资料名称:STW7NA100FI
 
文件大小: 76.15K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
 
 


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STW7NA100
STH7NA100FI
n - 频道 增强功能 模式
电源 mos 晶体管
典型 右
ds(开启)
= 1.45
±
30v 闸门 至 来源 电压 评级
100% 雪崩 已测试
重复性 雪崩 数据 在 100
o
c
闸门 费用 minimised
减少 阈值 电压 传播
应用程序
高 电流, 高 速度 开关
开关 模式 电源 供应 (smps)
设备 和 不间断
电源 供应品 和 电机 驱动器
内部 原理图 图表
绝对 最大值 额定值
符号 参数 单位
STW7NA100 STH7NA100FI
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0) 1000 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
= 20 k
)
1000 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
30 v
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25
o
c 7 4.3 一个
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100
o
c 4.4 2.7 一个
dm
(
) 排水管 电流 (脉冲) 28 28 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25
o
c 190 70 w
降额 因素 1.52 0.56 w/
o
c
v
iso
绝缘 承受 电压 (直流)
4000 v
t
stg
存储 温度 -65 至 150
o
c
t
j
最大值 操作 接合点 温度 150
o
c
(
) 脉冲 宽度 有限 由 安全操作 面积
类型 v
DSS
ds(开启)
d
STW7NA100
STH7NA100FI
1000 v
1000 v
&指示灯; 1.7
&指示灯; 1.7
7 一个
4.3 一个
march 1998
至-247 isowatt218
1
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1
2
3
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