1/8九月 2002
STW9NC80Z
n通道 800v - 0.82
Ω
- 9.4a 至-247
齐纳-保护 powermesh™iii 场效应晶体管
(1)我
sd
≤
9.4a, di/dt
≤
100a/µs, v
dd
≤
v
(br)dss
, t
j
≤
t
jmax
n
典型 右
ds
(开启) = 0.82
Ω
n
极其 高 设计验证/dt 能力
n
栅极到源极 齐纳 二极管
n
100% 雪崩 已测试
n
很 低 内在的 电容
n
闸门 费用 最小化
描述
这 第三 世代 的 mesh 覆盖
™ 电源
mosfets 用于 很 高 电压 展品 unsur-
通过 导通电阻 按 单位 面积 同时 集成
背靠背 齐纳 二极管 之间 闸门 和
来源. 这样的 安排 给出 额外的 esd capabil-
国家 与 较高 坚固耐用 业绩 作为 请求-
ed 由 一个 大型 品种 的 单独-开关 应用程序.
应用程序
n
单端 smps 入点 显示器,
计算机 和 工业 应用程序
n
welding 设备
绝对 最大值 额定值
(•)脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STW9NC80Z 800 v &指示灯;0.9
Ω
9.4 一个
符号 参数 值 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0)
800 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
= 20 k
Ω
)
800 v
v
gs
闸门- 来源 电压
±25 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25°c
9.4 一个
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100°c
5.9 一个
我
dm
(1)
排水管 电流 (脉冲) 38 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25°c
190 w
降额 因素 1.52 w/°c
我
gs
栅极-源极 电流 ±50 ma
v
esd(g-s)
闸门 来源 esd(hbm-c=100pf, 右=15k
Ω)
4KV
设计验证/dt(
●
) 峰值 二极管 回收 电压 坡度 3 v/ns
v
iso
绝缘 winthstand 电压 (直流) -- v
t
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
t
j
最大值 操作 接合点 温度 150 °C
至-247
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