STW50NB20
n - 频道 200V - 0.047
Ω
- 50A - 至-247
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.047
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
±
30V 闸门 至 来源 电压 评级
■
100% 雪崩 已测试
■
很 低 内在的 电容
■
闸门 费用 最小化
描述
使用 这 最新 高 电压 技术,
意法半导体 有 设计 一个 高级
家庭 的 电源 Mosfets 与 未结清
演出. 这 新建 专利 待定 压条
布局 耦合 与 这 Company’s 专有
边缘 终止 结构, 给出 这 最低
右
ds
(开启) 按 面积, 例外 雪崩 和
设计验证/dt 能力 和 unrivalled 闸门 费用 和
开关 特性.
应用程序
■
高 电流, 高 速度 开关
■
开关 模式 电源 供应品 (smps)
■
直流-交流电 转换器 用于 WELDING
设备 和 不间断
电源 供应品 和 电机 驱动器
内部 原理图 图表
October 1999
1
2
3
至-247
绝对 最大值 额定值
Symbol 参数 值 联合国它
v
ds
漏源 电压 (v
gs
=0) 200 v
v
DGR
排水管- gate? 电压 (右
gs
=20k
Ω
)
200 v
v
gs
g吃了-酸味ce v旧
±
30 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
=25
o
C50A
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100
o
C32A
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 200 一个
p
tot
t奥塔尔 Dissipat离子 在 t
c
=25
o
C280W
降额 fact或 2.24 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) 峰值 二极管 恢复y 电压 坡度 4 v/ns
t
stg
存储 透射电镜温度 -65 至 150
o
c
t
j
最大值 operating 接合点 透射电镜温度 150
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
50 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,tj
≤
t
jmax
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STW50NB20 200 v &指示灯; 0.055
Ω
50 一个
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