TrenchFET
电源 mosfets
175
c 额定 最大值 接合点 温度
低 输入 电容
汽车 燃油 注射 系统
汽车 刮水器
汽车 door 模块
sud35n05-26l
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71443
s-03485—rev. 一个,16-apr-01
www.vishay.com
1
n通道 55-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
一个
0.020 @ v
gs
= 10 v 35
55
0.026 @ v
gs
= 4.5 v 30
d
g
s
n通道 场效应晶体管
至-252
sgd
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排水管 已连接 至 选项卡
订单 号码:
sud35n05-26l
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
55
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
c
= 25
c 35
连续 排水管 电流 (t
j
= 175
c)
b
t
c
= 100
c
我
d
25
脉冲 排水管 电流 我
dm
80
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
35
t
c
= 25
c 50
c
最大值 电源 耗散
t
一个
= 25
c
p
d
7.5
b
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 175
c
参数 符号 典型 最大值 单位
t
10 秒 17 20
交叉点到环境
b
稳定 州
右
thja
50 60
连接至壳体 右
thjc
2.5 3.0
c/w
接合点-至-铅 右
thJL
5.0 6.0
备注
一个. 包装 有限.
b. 表面 已安装 开启 1” x1” fr4 板, t
10 秒.
c. 请参见 soa 曲线 用于 电压 降额.
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