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资料编号:627906
 
资料名称:SUP75N06-12L
 
文件大小: 77.8K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sup/sub75n06-12l
vishay siliconix
文件 号码: 70807
s-59182—rev. b, 07-9月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n通道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
 
v
(br)dss
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
60
0.012 @ v
gs
0.014 @ v
gs
= 4.5 v 70
d
g
s
n通道 场效应晶体管
至-220ab
顶部 查看
gds
sup75n06-12l
sub75n06-12l
至-263
sg
顶部 查看
排水管 已连接 至 选项卡
d
   

   
参数 符号 限制 单位
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=175
c)
t
c
= 25
c
d
75
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 175
c)
t
c
= 100
c
d
53
一个
脉冲 排水管 电流
dm
180
一个
雪崩 电流
ar
60
重复性 雪崩 能源
一个
l = 0.1 mh e?
ar
180 mJ
电源 耗散
t
c
= 25
c (至-220ab 和 至-263) p
d
142
b
wpower 耗散
t
一个
= 25
c (至-263)
c
p
d
3.75
c
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 175
c
  
参数 符号 限制 单位
交叉点到环境
pcb 安装 (至-263)
c
thja
40
c/w
交叉点到环境
免费 空气 (至-220ab)
thja
62.5
c/w
连接至壳体
thjc
1.05
备注:
一个. 职责 循环
1%.
b. 请参见 soa 曲线 用于 电压 降额.
c. 当 已安装 开启 1” 方块字 pcb (右前-4 材料).
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