特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
100% 右
g
已测试
rohs 符合
应用程序
直流/直流 换算, 低侧
−
台式机 pc
−
笔记本 pc
sur50n025-05p
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 73379
s-50933—rev.一个, 09-将-05
www.vishay.com
1
n通道 25-v (d-s) 场效应晶体管
产品 摘要
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(一个)
一个,
e?
q
g
(典型值)
25
0.0052 @ v
gs
= 10 v 89
30 nc25
0.0076 @ v
gs
= 4.5 v 80
30 nc
至-252
反向 铅 dpak
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排水管 已连接至 选项卡
订购 信息:
sur50n025-05p—e3 (铅 (铅)-免费)
sur50n025-05p-t4—e3 (铅 (铅)-免费, 备用 胶带 方向)
s
gd
n通道 场效应晶体管
g
d
s
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
25
v
栅极-源极 v旧 v
gs
20
v
t
c
= 25
c
89
一个,
e?
连续排水管 电流
(t
j
= 175
c)
t
c
= 70
c
我
d
75
一个,
e?
连续排水管 电流
(t
j
= 175
c)
t
一个
= 25
c
我
d
36
b,
c
t
一个
= 70
c
30
b,
c
一个
脉冲排水管 电流 我
dm
100
一个
连续 来源 排水管 二极管 电流
t
c
= 25
c
我
s
55
连续 源极-漏极 二极管 电流
t
一个
= 25
c
我
s
7.7
b,
c
雪崩电流 脉冲
l = 0 1 mh
我
作为
45
单独 脉冲 雪崩 能源
l = 0.1 mh
e?
作为
101 mJ
t
c
= 25
c
83
一个
最大值 电源 耗散
t
c
= 70
c
p
d
58
一个
w最大值 电源 耗散
t
一个
= 25
c
p
d
11.5
b,
c
w
t
一个
= 70
c
8.0
b,
c
操作接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 175
c
热 电阻 额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值交叉点到环境
b,
d
t
10 秒 右
thja
10 13
c/w
最大值 连接至壳体 稳定 州 右
thjc
1.5 1.8
c/w
备注:
一个. 基于 开启 t
c
= 25
c.
b. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
c. t = 10 秒
d. 最大值 下 稳定 州 条件 是 90
c/w.
e?. 已计算 基于 开启 最大值 接合点 温度. 包装 限制 电流 是 50 一个.
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