额外的刺激 设备 型号 sur50n03-09p
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这个 文件 是 预期作为 一个 额外的刺激 建模 指南 和 是否不 构成 一个 商业产品 数据 工作表. 设计师 should 参考 至 这 适当的
数据 工作表 的 这 相同 号码 fo右 保证 具体位置 限制.
文件 号码: 72801 www.vishay.com
14-六月-04
1
n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管
特性
•
n通道 垂直 dmos
•
宏 型号 (子电路 型号)
•
水平 3 mos
•
应用 用于 两者都有 线性 和 开关 应用程序
•
准确 结束 这
−
55 至 125
°
c 温度 范围
•
型号 这 闸门 费用, 瞬态, 和 二极管 反向 回收
特性
描述
这 附加 额外的刺激 型号 描述bes 这 典型 电气
特性 的 这 n通道 vertical dmos. 这 子电路
型号 是 已提取 和 优化 结束 这
−
55 至 125
°
c
温度 范围 下 这 脉冲 0 至 10v 闸门 驱动器. 这
饱和 输出 阻抗 是 最好 适合 在 这 闸门 偏差 近 这
阈值 电压.
一个 小说 栅极至漏极 反馈 capacitance 网络 是 已使用 至
型号 这 闸门 费用 字符测试 同时 避免 收敛性
困难 的 这 已切换 c
gd
型号. 全部 型号 参数 数值
是 优化 至 提供 一个 最好 适合 至 这 已测量 电气 数据
和 是 不 预期 作为 一个 精确 物理 口译 的 这
设备.
子电路 型号 原理图
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