特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
pwm 优化
100% 右
g
已测试
应用程序
直流/直流 转换器
−
高-侧面, 台式机 cpu 核心
同步 整流器
sur50n03-12p
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72774
s-32695—rev. 一个, 19-jan-04
www.vishay.com
1
n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
一个
30
0.012 @ v
gs
= 10 v 17.5
30
0.0175 @ v
gs
= 4.5 v 14.5
d
g
s
n通道 场效应晶体管
至-252
反向 铅 dpak
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排水管 已连接 至 选项卡
订购 信息:
sur50n03-12p—e3
sur50n03-12p-t4—e3 (altrenate 胶带 方向)
s
gd
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
c
= 25
c 47
连续 排水管 电流
一个
t
一个
= 25
c
我
d
17.5
t
一个
= 100
c
d
12.4
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
40
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
5
单独 脉冲 一个valanche 电流
l = 0 1 mh
我
作为
30
单独 脉冲 一个valanche 能源
l = 0.1 mh
e?
作为
45 mJ
最大值 电源 耗散
t
c
= 25
c
p
d
46.8
w最大值 电源 耗散
t
一个
= 25
c
p
d
6.5
一个
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 175
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 接合点 至 环境
一个
t
10 秒
右
18 23
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
40 50
c/w
最大值 连接至壳体 右
thjc
2.6 3.2
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
10 秒.
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