1
数据 工作表 获得 从 harris 半导体
SCHS195C
特点
• 同时 和 独立 阅读 和 写
运营
• expandable 至 512 字词 的 n-比特
• 三态 产出
• 有组织的 作为 4 字词 x 4 比特 宽
• 缓冲 输入
• 典型 阅读 时间 = 16ns 用于 ’hc670 v
抄送
= 5v, c
l
=
15pf, t
一个
= 25
o
c
• 扇出 (结束 温度 范围)
- 标准 产出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 lsttl 荷载
- 总线 驾驶员 产出 . . . . . . . . . . . . . 15 lsttl 荷载
• 宽 操作 温度 范围 . . . -55
o
c 至 125
o
c
• 平衡式 传播 延迟 和 过渡 次
• Signi 电源 减少 比较 至 lsttl
逻辑 ics
• hc 类型
- 2v 至 6v 操作
- 高 噪声 免疫: n
il
= 30%, n
ih
= 30% 的 v
抄送
在 v
抄送
= 5v
• hct 类型
- 4.5v 至 5.5v 操作
- 直接 lsttl 输入 逻辑 兼容性,
v
il
= 0.8v (最大值), v
ih
= 2v (最小)
- cmos 输入 兼容性, 我
l
≤
1
µ
一个 在 v
ol
, v
哦
描述
这 ’HC670 和 CD74HCT670 是 16-有点 注册 文件
有组织的 作为 4 字词 x 4 比特 每个. 阅读 和 写 地址
和 启用 输入 允许 同时 写作 进入 一个 位置
同时 阅读 另一个. 四 数据 输入 是 提供 至 商店
这 4-有点 字. 这 写 地址 输入 (wa0 和 wa1)
确定 这 位置 的 这 已存储 字 入点 这 注册.
当 写 启用 (
我们) 是 低 这 字 是 已输入 进入 这
地址 位置 和 它 遗迹 透明 至 这 数据. 这
产出 将 反映 这 真 窗体 的 这 输入 数据. 当 (
我们)
是 高 数据 和 地址 输入 是 抑制. 数据 收购
从 这 四 寄存器 是 制造 可能 由 这 阅读 地址
输入 (ra1 和 ra0). 这 地址 字 出现 在 这
输出 当 这 阅读 启用 (
re) 是 低. 这 输出 是 入点 这
高 阻抗 州 当 这 (
re) 是 高. 产出 可以 是
系紧 一起 至 增加 这 字 容量 至 512 x 4 比特.
引出线
CD54HC670
(cerdip)
cd74hc670, cd74hct670
(pdip, soic)
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订购 信息
零件 号码
温度 范围
(
o
c) 包装
CD54HC670F3A -55 至 125 16 ld cerdip
CD74HC670E -55 至 125 16 ld pdip
CD74HC670M -55 至 125 16 ld soic
CD74HC670MT -55 至 125 16 ld soic
CD74HC670M96 -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT670E -55 至 125 16 ld pdip
CD74HCT670M -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT670MT -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT670M96 -55 至 125 16 ld soic
备注: 当 订购, 使用 这 整个 零件 号码. 这 suffix 96
表示 胶带 和 卷轴. 这 suffix t 表示 一个 小批量 卷轴 的
250.
14
15
16
9
13
12
11
10
1
2
3
4
5
7
6
8
D1
D2
D3
RA1
RA0
Q3
地
Q2
v
抄送
WA0
WA1
我们
re
Q0
Q1
D0
january 1998 - 修订 october 2003
注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电. 用户 应该 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
版权
©
2003, 德州 仪器仪表 股份公司
cd54hc670, cd74hc670,
CD74HCT670
高速 cmos 逻辑
4x4 注册 文件
[ /标题
(cd74h
c670,
CD74H
ct670)
/主题
(高-
速度
CMOS
逻辑
4x4 注册-
伊斯特