这个 文档 包含 信息 在 一个 产品 下面 开发 在 fasl llc. 这 信息 是 将 至 帮助 你 evaluate这个 产品. fasl llc reserves 这
正确的 至 改变 或者 停止 工作 在 这个 proposed 产品 没有 注意.
发行 号码
27631
修订
一个
Amendment
4
公布 日期
将 13, 2004
进步
信息
s29glxxxn mirrorbit
TM
flash 家族
s29gl512n, s29gl256n, s29gl128n
512 megabit, 256 megabit, 和 128 megabit,
3.0 volt-仅有的 页 模式 flash 记忆 featuring
110 nm mirrorbit 处理 技术
数据手册
distinctive 特性
architectural 有利因素
单独的 电源 供应 运作
— 3 volt 读, 擦掉, 和 程序 行动
增强 versatilei/o
™
控制
— 所有 输入 水平 (地址, 控制, 和 dq 输入 水平)
和 输出 是 决定 用 电压 在 v
IO
输入.
V
IO
范围 是 1.65 至 v
CC
制造的 在 110 nm mirrorbit 处理
技术
SecSi
™
(secured 硅) sector 区域
— 128-文字/256-字节 sector 为 永久的, secure
identification 通过 一个 8-文字/16-字节 随机的
电子的 串行 号码, accessible 通过 一个
command sequence
— 将 是 编写程序 和 锁 在 这 工厂 或者 用
这 客户
有伸缩性的 sector architecture
— s29gl512n: five hundred twelve 64 kword (128
kbyte) sectors
— s29gl256n: 二 hundred fifty-六 64 kword (128
kbyte) sectors
— s29gl128n: 一个 hundred twenty-第八 64 kword
(128 kbyte) sectors
兼容性 和 电子元件工业联合会 standards
— 提供 引脚 和 软件 兼容性 为 单独的-
电源 供应 flash, 和 更好的 inadvertent 写
保护
100,000 擦掉 循环 每 sector 典型
20-年 数据 保持 典型
效能 特性
高 效能
— 80 ns 进入 时间 (s29gl128n, s29gl256n),
90 ns 进入 时间 (s29gl512n)
— 8-文字/16-字节 页 读 缓存区
—25 ns 页 读 时间
— 16-文字/32-字节 写 缓存区 减少 整体的
程序编制 时间 为 多样的-文字 updates
低 电源 消耗量 (典型 值 在 3.0 v, 5
mhz)
— 25 毫安 典型 起作用的 读 电流;
— 50 毫安 典型 擦掉/程序 电流
— 1 µa 典型 备用物品 模式 电流
包装 选项
—56-管脚 tsop
— 64-球 fortified bga
软件 &放大; 硬件 特性
软件 特性
— 程序 suspend &放大; 重新开始: 读 其它 sectors
在之前 程序编制 运作 是 完成
— 擦掉 suspend &放大; 重新开始: 读/程序 其它
sectors 在之前 一个 擦掉 运作 是 完成
— data# polling &放大; toggle 位 提供 状态
— unlock 绕过 程序 command 减少 整体的
多样的-文字 或者 字节 程序编制 时间
— cfi (一般 flash 接口) 一致的: 准许 host
系统 至 identify 和 accommodate 多样的 flash
设备
硬件 特性
— 先进的 sector 保护
— wp#/acc 输入 accelerates 程序编制 时间
(当 高 电压 是 应用) 为 更好 throughput
在 系统 生产. 保护 第一 或者 last sector
regardless 的 sector 保护 settings
— 硬件 重置 输入 (reset#) resets 设备
— 准备好/busy# 输出 (ry/by#) 发现 程序 或者
擦掉 循环 completion
: 点此下载
