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资料编号:639537
 
资料名称:TB31262F
 
文件大小: 273.43K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Bi- CMOS Integrated Circuit Silicon Monolithic
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TB31262F
2001-12-26
1
TOSHIBABi cmos 整体的 电路 硅 大而单一的
t b 3 1 2 6 2 f
rf 1碎片ICordlessTelephone
一个package 包含系统关于 rf, 如果, 和 af.
involving lna, 混合, pa, vco (tx,rx), pll, 如果-放大, detecter,
Compander,和 4有用的 音频的 放大器. it 是 可能 至 减少
许多 外部 部分.这个 ic 是 合适的 为ISM900MHz
cordless 电话.
特性
Same 系统 &放大; 软件almost兼容 作 tb31261af
(单独的 转换, 如果 频率:10.7mhz,)
建造-在 lna
建造-在 1’st 混合
翻倍 保持平衡混合(dbm)类型.
建造- 差别的VCO, 能变的 电容 (tx, rx)
doubler (450 mhz
×
2)
建造-在 pa
一个 substitution 从 tb31261af 是 容易
(一样 包装, 软件 almost 兼容)
低 运行 电压:V
CC
=
2.0~5.0V
电流运行电流:I
CC
=
70 毫安 (所有 在)
pll 运行 频率:周围450MHz
串行 控制 为 所有 状态
建造 在-放大,接受者-放大,mic-放大, 和 spl-放大
接受者 输出 水平的 调整.
能变的 电池 alarm 设置. (7门槛)
建造 在 电池 节省 函数 为 intermittent 接到.
小 包装:QFP52pin(0.65mm 程度)
handle 和 小心 至 阻止 设备 从 deterioration 用 静态的 electricity.
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