STB70NF03L
n通道 30V - 0.008
Ω
- 70A d
2
PAK
低 闸门 费用 STripFET
电源 场效应晶体管
初步 数据
■
典型 右
ds(开启)
= 0.008
Ω
■
典型 q
g
= 35 nc @ 10V
■
最优 右
ds(开启)
xQ
g
权衡
■
传导 损失 减少
■
开关 损失 减少
描述
这个 应用程序 具体 电源 场效应晶体管 是 这 第三
世代 的 意法半导体 独一无二 ”Single
功能 尺寸
” 压条-基于 流程. 这 resul-
婷 晶体管 显示 这 最好 权衡 之间
导通电阻 和 闸门 费用. 当 已使用 作为
高 和 低 侧面 入点 降压 调节器, 它 给出 这
最好 业绩 入点 条款 的 两者都有 传导 和
开关 损失. 这个 是 极其 重要 用于
motherboards 在哪里 快 开关 和 高 e?ffi-
科学 是 的 派拉蒙 重要性.
应用程序
■
具体而言 设计 和
优化 用于 高 效率 CPU
核心 直流/直流 转换器
内部 原理图 图表
April 2000
1
3
d
2
PAK
至-263
绝对 最大值 额定值
symbol parameter value? 联合国它
v
ds
排水管-来源 电压 (v
gs
=0) 30 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
Ω
)30v
v
gs
g吃了-来源 电压年龄
±
20 v
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
=25
o
C70A
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
=100
o
C50A
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 280 一个
p
tot
t奥塔尔 dissipat离子 在 t
c
=25
o
c 100 w
Derating fac托尔 0.67 w/
o
c
t
stg
存储 温度 -65 至 175
o
c
t
j
最大值 操作正在处理 junc操作 透射电镜按ature 175
o
c
(
•
) pulse 宽度 有限 由 安全 操作 面积
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STB70NF03L 30 v &指示灯; 0.01
Ω
70 一个
添加 后缀 ”T4” 用于 订购 入点 胶带 &放大器; 卷轴
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