TC2696
rev.2_04/12/2004
transcom, 股份有限公司.,
90 dasoong 7
th
road, tainan science-基于 工业 园区, hsin-she shiang, tainan county, taiwan, r.o.c.
web-现场: www.transcominc.com.tw 电话: 886-6-5050086 传真: 886-6-5051602
p1/2
2 w 法兰 陶瓷 已打包 phemt gaas 电源 fets
特点
•
2 w 典型 输出 电源 在 2.45 ghz
•
14 db 典型 线性 电源 增益 在 2.45 ghz
•
高 线性度:
ip3 = 43 dbm 典型 在 2.45 ghz
•
高 电源 已添加 效率:
标称值 pae 的 43 % 在 2.45 ghz
•
适合 用于 高 可靠性 应用程序
•
击穿 电压:
BV
DGO
≥
18 v
•
lg = 0.6
µ
m, wg = 5 mm
•
100 % 直流 已测试
•
法兰 陶瓷 包装
描述
这 tc2696 是 已打包 与 这 tc1606 pseudomorphic 高 电子 mobility 晶体管 (phemt)
芯片. 这 法兰 陶瓷 包装 提供 这 最好 热 电导率 用于 这 gaas 场效应晶体管. 全部 设备 是
100% 直流 和 rf 已测试 至 保证 一致 质量. 典型 应用程序 包括 高 动态 范围
电源 放大器 用于 商业 应用程序 包括 细胞/pcs 系统, 和 军事 高
业绩 电源 放大器.
电气 规格 (t
一个
=25
°
°°
°
c)
符号 条件
最小 典型值 最大值 单位
p
1dB
输出 电源 在 1db 增益 压缩 点 ,
f
= 2.45ghz
v
ds
= 8 v, 我
ds
= 600 ma
32.5
33
dBm
g
l
线性 电源 增益,
f
= 2.45ghz
v
ds
= 8 v, 我
ds
= 600 ma
12
14
db
IP3
截距 点 的 这 3
rd
-订单 互调,
f
= 2.45ghz
v
ds
= 8 v, 我
ds
= 600 ma, *p
scl
= 20 dbm
43
dBm
PAE 电源 已添加 效率 在 1db 压缩 电源,
f
= 2.45ghz
43 %
我
DSS
饱和 漏源 电流 在 v
ds
= 2 v, v
gs
= 0 v
1.2 一个
g
m
跨导 在 v
ds
= 2 v, v
gs
= 0 v
850 ms
v
p
夹断 电压 在 v
ds
= 2 v, 我
d
= 10 ma
-1.7** 伏特
BV
DGO
漏极-栅极 击穿 电压 在 我
DGO
=2.5 ma
15 18 伏特
右
th
热 电阻
7
°
c/w
备注: * p
scl
: 输出 电源 的 单独 承运人 水平.
照片 enlargement
** 用于 这 紧 控制 的 这 夹断 电压 范围, 我们 除法 tc2696 进入 3 型号 编号 至 适合 客户 设计 requirement
(1)tc2696p1519 : vp = -1.5v 至 -1.9v (2)tc2696p1620 : vp = -1.6v 至 -2.0v (3)tc2696p1721 : vp = -1.7v 至 -2.1v
如果 必填项, 客户 可以 指定 这 要求 入点 采购 文件. 用于 特殊 vp 要求, 请 联系人 工厂 fo
右
详细信息.
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