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资料编号:64396
 
资料名称:4N600(3600)
 
文件大小: 36.81K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号4N600(3600)的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bay 线性, 股份有限公司
2478 armstrong 街道, livermore, ca 94550 电话: (925) 989-7144, fax: (925) 940-9556 www.baylinear.com
n通道 字段 效果 晶体管
4N600(3600)
订购 信息
设备 包装温度
4n600t 至-220
0 至 150
°
c
4N600S 至-263 ( d
2
)
0 至 150
°
c
符号 参数 最大值 单位
排水管 电流
-继续
4.0
2.5
d
(t
c
=25
°
c)
d
(t
c
=100
°
c)
-脉冲 16
一个
v
GSV
闸门 来源 电压
±
20
v
合计 电源 耗散 @ t
c
=25
°
c
75
w
p
d
降额 以上 25
°
c
0.59
w/
°
°°
°
c
t
j
操作 和 存储
t
stg
温度 范围
-55 至 150
°
°°
°
c
描述
这 bay 线性 n通道 电源 字段 效果 晶体管 是
生产 使用 高 细胞 密度 dmos 技术 , 这些
设备 是 特别是 适合 用于 高 电压 应用程序
这样的 作为 汽车 和 其他 蓄电池 通电 电路 在哪里
快 开关, 低 在线 电源 损失 和 电阻 至
晶体管 是 需要.
这 至-220 是 提供 入点 一个 3-管脚 是 universally 首选 用于 全部
商业-工业 应用程序 在 电源 耗散 水平
至 大约 至 50 瓦特. 也, 可用 入点 一个 d
2
表面
安装 电源 包装 与 一个 电源 耗散 向上 至 2 瓦特
特点
关键 直流 电气 参数
指定 在 高架 温度
坚固耐用 内部 源极-漏极 二极管
可以 消除 这 需要 用于 外部
齐纳 二极管 瞬态 suppresser
超级 高 密度 细胞 设计 用于
极其 低 右
ds(开启)
v
DSS
= 600v
ds (开启)
= 1.9
d
= 4.0a
bay 线性
bay linearbay 线性
bay 线性
inspire 这 线性 电源
inspire 这 线性 powerinspire 这 线性 电源
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