©2002 仙童 半导体 公司 rev. b1, 12月 2002
tip140t/141t/142t
npn 外延 硅 darlington 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 : tip140t
: tip141t
: tip142t
60
80
100
v
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压 : tip140t
: tip141t
: tip142t
60
80
100
v
v
v
v
EBO
发射器-底座 电压 5 v
我
c
收集器 电流 (直流) 10 一个
我
cp
收集器 电流 (脉冲) 15 一个
我
B
底座 电流 (直流) 0.5 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 80 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
v
CEO
(sus) 集电极-发射极 维持 电压
: tip140t
: tip141t
: tip142t
我
c
= 30ma, 我
B
= 0 60
80
100
v
v
v
我
CEO
收集器 截止 电流
: tip140t
: tip141t
: tip142t
v
ce
= 30v, 我
B
= 0
v
ce
= 40v, 我
B
= 0
v
ce
= 50v, 我
B
= 0
2
2
2
ma
ma
ma
我
CBO
收集器 截止 电流
: tip140t
: tip141t
: tip142t
v
cb
= 60v, 我
e?
= 0
v
cb
= 80v, 我
e?
= 0
v
cb
= 100v, 我
e?
= 0
1
1
1
ma
ma
ma
我
EBO
发射器 截止 电流 v
是
= 5v, 我
c
= 0 2 ma
h
铁
直流 电流 增益 v
ce
= 4v, 我
c
= 5a
v
ce
=4v, 我
c
= 10a
1000
500
ma
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 5a, 我
B
= 10ma
我
c
= 10a, 我
B
= 40ma
2
3
v
v
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 10a, 我
B
= 40ma 3.5 v
v
是
(开启) 基极-发射极 开启 电压 v
ce
= 4v, 我
c
= 10a 3 v
t
d
延迟 时间 v
抄送
= 30v, 我
c
= 5a
我
B1
= 20ma
我
B2
= -20ma
右
l
= 6
Ω
0.15
µ
s
t
右
上升 时间 0.55
µ
s
t
stg
存储 时间 2.5
µ
s
t
f
坠落 时间 2.5
µ
s
tip140t/141t/142t
单片 施工 与 已建成 入点 底座-
发射器 分流器 电阻
• 高 直流 电流 增益 : h
铁
= 1000 @ v
ce
= 4v, 我
c
= 5a (最小.)
• 工业 使用
• 补码 至 tip145t/146t/147t
等效 电路
B
e?
c
R1
R2
右
18
k
Ω≅
右
20.12
k
Ω≅
1.底座 2.收集器 3.发射器
1
至-220
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