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资料编号:656499
 
资料名称:TP0205A
 
文件大小: 34.08K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
 
 


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tp0205a/ad
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 70869
s-04279—rev. b, 16-jul-01
www.vishay.com
11-1
p-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管, low-threshold

V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(毫安)
3.8 @ v
GS
= –4.5 v –180
–20
5.0 @ v
GS
= –2.5 v –100

高-一侧 切换
低 在-阻抗: 2.6
(典型值)
快 切换 速: 35 ns
2.5 v 或者 更小的 运作

使容易 在 驱动 switches
低 补偿 (错误) 电压
低-电压 运作
高-速 电路
低 电池 电压 运作

驱动器: 接转, solenoids, lamps,
hammers, 显示, memories
电池 运作 系统
加载/电源 切换-cell phones,
PDA
sot-363
sc-70 (6-leads)
S
1
1
3
G
1
2
D
2
6
4
5
D
1
G
2
S
2
顺序 号码:
TP0205AD
sot-323
sc-70 (3-leads)
S
D
1
2
3
G
顺序 号码:
TP0205A
标记 代号:
tp0205a: 一个
l
tp0205ad: c
wl
w
= week 代号
l
= lot traceability



参数 标识 TP0205A TP0205AD 单位
流-源 电压 V
DS
–20
门-源 电压 V
GS
8
V
一个
T
一个
= 25
C
–180
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
–140
毫安
搏动 流 电流 I
DM
–500
T
一个
= 25
C
0.15 0.20 (总的)
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
0.10 0.13 (总的)
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C

参数 标识 TP0205A TP0205AD 单位
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
一个
R
thJA
833 625 (总的)
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
10 秒.
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