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资料编号:656646
 
资料名称:TP2540N8
 
文件大小: 481.01K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


: 点此下载
 
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1
11/12/01
supertex 公司 是否 不 推荐 这 使用 的 其 产品 入点 生活 支持 应用程序 和 将 不 knowingly 出售 其 产品 用于 使用 入点 这样的 应用程序 除非 它 接收 一个 足够的 "产品 责任
赔偿 insurance 协议." supertex 是否 不 假设 责任 用于 使用 的 设备 已描述 和 限制 其 责任 至 这 更换 的 设备 已确定 至 是 有缺陷的 到期 至
做工. 否 责任 是 假设 用于 可能 遗漏 或 不准确. 电路 和 规格 是 主题 至 变更 无 通知. 用于 这 最新 产品 规格, 参考 至 这
supertex 网站: http://www.supertex.com. 用于 完成 责任 信息 开启 全部 supertex 产品, 参考 至 这 大多数 电流 数据手册 或 至 这 法律/免责声明 第页 开启 这 supertex website.
BV
DSS
/右
ds(开启)
v
gs(th)
d(开启)
BV
DGS
(最大值) (最大值) (最小) 至-92 至-243aa* 模具
-350v 25
-2.4v -0.4a TP2535N3
-400v 25
-2.4v -0.4a TP2540N3 TP2540N8 TP2540ND
*
相同 作为 sot-89. 产品 提供的 开启 2000 件 承运人 胶带 卷轴.
密耳 目视检查 筛选 可用.
订购 信息
TP2535
TP2540
低 阈值
包装 选项
特点
低 阈值 — -2.4v 最大值
高 输入 阻抗
低 输入 电容 — 125pf 最大值
免费 从 次要 击穿
低 输入 和 输出 泄漏
互补 n- 和 p沟道 设备
低 阈值 dmos 技术
这些 低 阈值 增强模式 (正常情况下-关) transis-
活动范围 利用 一个 垂直 dmos 结构 和 supertex's 井-经过验证
硅栅 制造业 流程. 这个 组合 生产
设备 与 这 电源 搬运 能力 的 双极性 晶体管
和 与 这 高 输入 阻抗 和 正 温度
系数 固有的 入点 mos 设备. 特性 的 全部 mos
构筑物, 这些 设备 是 免费 从 热 失控 和
热-诱导 次要 击穿.
supertex’s 垂直 dmos fets 是 理想情况下 适合 至 一个 宽 范围
的 开关 和 放大 应用程序 在哪里 很 低 阈值
电压, 高 击穿 电压, 高 输入 阻抗, 低 输入
电容, 和 快 开关 速度 是 需要.
订单 号码 / 包装
p沟道 增强模式
vertical dmos fets
应用程序
逻辑 水平 接口 – 理想 用于 ttl 和 cmos
固体 州 继电器
蓄电池 操作 系统
照片 voltaic 驱动器
模拟 开关
概述 目的 线 驱动程序
电信 开关
绝对 最大值 额定值
漏源 电压 BV
DSS
漏极到栅极 电压 BV
DGS
栅极到源极 电压
±
20V
°
c 至 +150
°
c
焊接 temperature* 300
°
c
*
距离 的 1.6 mm 从 案例 用于 10 秒.
备注: 请参见 包装 大纲 截面 用于 尺寸.
至-243aa
(sot-89)
g
d
s
d
s g d
至-92
产品 标记 用于 至-243aa
在哪里
= 2-周 阿尔法 日期 代码
TP5D
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