TPCP8402
2003-09-26
1
toshiba 字段 效果 晶体管 硅 p, n 频道 mos 类型 (u-mos 四 / u-mos 三)
TPCP8402
便携式 设备 应用程序
mortor 驱动器 应用程序
直流-直流 变频器 应用程序
•
低 漏源 开启 电阻
: p 频道 右
ds
(开启)
= 60 m
Ω
(典型值.)
n 频道 右
ds
(开启)
= 38 m
Ω
(典型值.)
•
高 前进 转让 admittance
: p 频道 |y
fs
| = 6.0 s (典型值.)
n 频道 |y
fs
| = 7.0 s (典型值.)
•
低 泄漏 电流
: p 频道 我
DSS
=
−1
0 µa (v
ds
=
−
30 v)
n 频道 我
DSS
=
1
0 µa (v
ds
= 30 v)
•
增强功能
−
模式
: p 频道 v
th
=
−
0.8 至
−
2.0 v (v
ds
=
−1
0 v, 我
d
=
−1
ma)
n 频道 v
th
=
1
.3 至 2.5 v (v
ds
=
1
0 v, 我
d
=
1
ma)
最大值 额定值
(助教
=
25°c)
特性 符号 评级 单位
漏源 电压 v
DSS
−
30 30 v
漏极-栅极 电压 (右
gs
=
20 k
Ω
) v
DGR
−
30 30 v
栅极-源极 电压 v
GSS
±
20
±
20 v
直流 (备注 1) 我
d
−
3.4 4.2
排水管 电流
脉冲 (备注 1) 我
dp
−
13.6 16.8
一个
单独-设备 操作
(备注 3a)
p
d (1)
1.48 1.48
排水管 电源
耗散
(t
=
5 s)
(备注 2a)
单独-设备 值 在
双 操作(备注 3b)
p
d (2)
1.23 1.23
单独-设备 操作
(备注 3a)
p
d (1)
0.58 0.58
排水管 电源
耗散
(t
=
5 s)
(备注 2b)
单独-设备 值 在
双 操作(备注 3b)
p
d (2)
0.36 0.36
w
单独 脉冲 雪崩 能源(备注 4) e?
作为
0.75 2.86 mj
雪崩 电流 我
ar
−
1.7 2.1 一个
重复性 雪崩 能源
单独-设备 值 在 双 操作
(备注 2a, 3b, 5)
e?
ar
0.12 mj
频道 温度 t
ch
150 °c
存储 温度 范围 t
stg
−
55~150 °c
备注: 用于 (备注 1), (备注 2), (note 3), (note 4), (note 5) 和 (note 6), 请
参考 至 这 下一个 第页.
这个 晶体管 是 一个 静电 敏感 设备. 请 手柄 与 注意事项.
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
TOSHIBA
―
重量: 0.017 g (典型值.)
电路 配置
标记 (备注 6)
1
来源
1
2 闸门
1
3 Source2
4 Gate2
备注 7
5 Drain2
6 Drain2
7 排水管
1
8 排水管
1
1
2
3
4
8
7
6
5
8402
1
2 3 4
8 7 6 5
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